2SA197 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA197  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO1

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2SA197 datasheet

 0.1. Size:191K  toshiba
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2SA197

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2SA197

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2SA197

Ordering number ENN5613 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1973/2SC5310 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Large current capacitance. 2018B Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1973/2SC5310] High-speed switching. 0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

 0.4. Size:60K  nec
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2SA197

DATA SHEET PRELIMINARY DATA SHEET Silicon Transistor 2SA1978 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSIONS High f (in milimeters) T _ 2.8+0.2 f = 5.5 GHz TYP. T +0.1 S 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.15 21e CE C High speed switching characteristics Equivalent NPN transistor is the 2SC2

Otros transistores... 2SA192, 2SA193, 2SA194, 2SA195, 2SA1958, 2SA196, 2SA1967, 2SA1968, TIP32C, 2SA198, 2SA199, 2SA20, 2SA200, 2SA201, 2SA202, 2SA203, 2SA204