2SA197 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA197 📄📄
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO1
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2SA197 datasheet
2sa1973 2sc5310.pdf
Ordering number ENN5613 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1973/2SC5310 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Large current capacitance. 2018B Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1973/2SC5310] High-speed switching. 0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16
2sa1978.pdf
DATA SHEET PRELIMINARY DATA SHEET Silicon Transistor 2SA1978 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSIONS High f (in milimeters) T _ 2.8+0.2 f = 5.5 GHz TYP. T +0.1 S 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.15 21e CE C High speed switching characteristics Equivalent NPN transistor is the 2SC2
Otros transistores... 2SA192, 2SA193, 2SA194, 2SA195, 2SA1958, 2SA196, 2SA1967, 2SA1968, TIP32C, 2SA198, 2SA199, 2SA20, 2SA200, 2SA201, 2SA202, 2SA203, 2SA204
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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