2SA197 Todos los transistores

 

2SA197 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA197
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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2SA197 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:191K  toshiba
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2SA197

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2SA197

 0.3. Size:44K  sanyo
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2SA197

Ordering number:ENN5613PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1973/2SC5310DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes.unit:mm Large current capacitance.2018B Low collector-to-emitter saturation voltage.[2SA1973/2SC5310] High-speed switching.0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

 0.4. Size:60K  nec
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2SA197

DATA SHEETPRELIMINARY DATA SHEETSilicon Transistor2SA1978PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMICROWAVE AMPLIFIERFEATURES PACKAGE DIMENSIONSHigh f (in milimeters)T_2.8+0.2f = 5.5 GHz TYP.T+0.1| S | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.1521e CE CHigh speed switching characteristicsEquivalent NPN transistor is the 2SC2

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SA163 | 2N190 | MJD3055T4

 

 
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