2SA197 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA197  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA197

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA197 даташит

 0.1. Size:191K  toshiba
2sa1972.pdfpdf_icon

2SA197

 0.2. Size:194K  toshiba
2sa1971.pdfpdf_icon

2SA197

 0.3. Size:44K  sanyo
2sa1973 2sc5310.pdfpdf_icon

2SA197

Ordering number ENN5613 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1973/2SC5310 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Large current capacitance. 2018B Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1973/2SC5310] High-speed switching. 0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

 0.4. Size:60K  nec
2sa1978.pdfpdf_icon

2SA197

DATA SHEET PRELIMINARY DATA SHEET Silicon Transistor 2SA1978 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSIONS High f (in milimeters) T _ 2.8+0.2 f = 5.5 GHz TYP. T +0.1 S 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.15 21e CE C High speed switching characteristics Equivalent NPN transistor is the 2SC2

Другие транзисторы: 2SA192, 2SA193, 2SA194, 2SA195, 2SA1958, 2SA196, 2SA1967, 2SA1968, TIP32C, 2SA198, 2SA199, 2SA20, 2SA200, 2SA201, 2SA202, 2SA203, 2SA204