2SB1558C Todos los transistores

 

2SB1558C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1558C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 170 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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2SB1558C PDF detailed specifications

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2SB1558C

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 7.2. Size:155K  jmnic
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2SB1558C

JMnic Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors 2SB1558 DESCRIPTION With TO-3PI package Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS For power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PI) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER COND... See More ⇒

 7.3. Size:237K  inchange semiconductor
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2SB1558C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1558 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 5000(Min)@I = -7A FE C Low-Collector Saturation Voltage- V = -2.5V(Max.)@I = -7A CE(sat) C Complement to Type 2SD2387 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING... See More ⇒

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