Справочник транзисторов. 2SB1558C

 

Биполярный транзистор 2SB1558C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB1558C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO264
 

 Аналог (замена) для 2SB1558C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1558C Datasheet (PDF)

 7.1. Size:184K  toshiba
 2sb1558.pdf pdf_icon

2SB1558C

 7.2. Size:155K  jmnic
 2sb1558.pdf pdf_icon

2SB1558C

JMnic Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors 2SB1558 DESCRIPTION With TO-3PI package Complement to type 2SD2387 APPLICATIONS For power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PI) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER COND

 7.3. Size:237K  inchange semiconductor
 2sb1558.pdf pdf_icon

2SB1558C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1558DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 5000(Min)@I = -7AFE CLow-Collector Saturation Voltage-: V = -2.5V(Max.)@I = -7ACE(sat) CComplement to Type 2SD2387Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATING

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: RN1414

 

 
Back to Top

 


 
.