Скачать даташит для mmdt2907a:

MMDT2907APNP Silicon Elektronische BauelementeMulti-Chip TransistorRoHS Compliant ProductSOT-363A suffix of "-C" specifies halogen-free * Featureso.055(1.40)8.047(1.20)0o .026TYP(0.65TYP) .021REFPower dissipation (0.525)REFOPCM : 0.15 W (Tamp.= 25 C).053(1.35).096(2.45).045(1.15).085(2.15)Collector current.018(0.46)ICM : -0.6 A.010(0.26).014(0.35).006(0.15)C B E.006(0.15)Collector-base voltage 2 1 1 .003(0.08).087(2.20).079(2.00).004(0.10)V(BR)CBO : -60 V.000(0.00)Operating & Storage junction Temperature.043(1.10) .039(1.00)O O .035(0.90) .035(0.90)E B C2 2 1Tj, Tstg : -55 C~ +150 CMarking: K2F, 2FDimensions in inches and (millimeters)OElectrical Characteristics( Tamb=25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT -60 VCollector-base breakdown voltage V(BR)

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 mmdt2907a.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 mmdt2907a.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 mmdt2907a.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы