Справочник транзисторов. 2SC566

 

Биполярный транзистор 2SC566 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC566
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO72
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC566 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:36K  sanyo
2sc5665.pdfpdf_icon

2SC566

Ordering number : ENN73512SC5665NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5665High-Frequency Low-Noise Amplifierand OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions Low-noise use : NF=1.5dB typ (f=2GHz). unit : mm High cut-off frequency : fT=6.5GHz typ (VCE=1V). 2106A: fT=11.2GHz typ (VCE=3V).[2SC5665] Low operating voltage.0.750.30.630~0.11 20.10.20.

 0.2. Size:33K  sanyo
2sa2031 2sc5669.pdfpdf_icon

2SC566

Ordering number : ENN65862SA2031 / 2SC5669PNP Epitaxial Planar Silicon TransistorNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SA2031 / 2SC5669230V / 15A, AF100W Output ApplicationsFeatures Package Dimensions Large current capacitance. unit : mm Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A Adoption of MBIT process.[2SA2031 / 2SC5669]15.63.24.814.0

 0.3. Size:87K  nec
2sc5668.pdfpdf_icon

2SC566

DATA SHEETNPN SILICON RF TRANSISTOR2SC5668NPN SILICON RF TRANSISTOR FORLOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATIONFLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLDFEATURES Ideal for low noise high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or overNF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB @ f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 5 mA Maximum available power gain: MAG. = 12.5 dB TYP. @ f

 0.4. Size:86K  nec
2sc5667.pdfpdf_icon

2SC566

DATA SHEETNPN SILICON RF TRANSISTOR2SC5667NPN SILICON RF TRANSISTOR FORLOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLDFEATURES Ideal for low noise high-gain amplification and oscillation at 3 GHz or overNF = 1.1 dB TYP., Ga = 11 dB @ f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 5 mA Maximum available power gain: MAG. = 12.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 2 V,

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: MRF1000MA | CMPTA27 | BCX71RJ | SK3218 | BCX70RK | HBC143ZS6R | 2SC4009

 

 
Back to Top

 


 
.