2SD34 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD34  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO7

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD34

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD34 даташит

 0.1. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd343.pdf pdf_icon

2SD34

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD343 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 0.6V(Max) @I = 2.0A CE(sat) C Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose appli

 0.2. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd348.pdf pdf_icon

2SD34

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD348 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers and switching appl

 0.3. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd347.pdf pdf_icon

2SD34

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD347 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I = 3.0A CE(sat) C Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier a

 0.4. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd345.pdf pdf_icon

2SD34

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD345 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 55V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 0.6V(Max) @I = 2.0A CE(sat) C Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD335, 2SD336, 2SD338, 2SD338-1, 2SD338-2, 2SD339, 2SD339-1, 2SD339-2, S8050, 2SD340, 2SD340-1, 2SD340-2, 2SD341, 2SD341H, 2SD342, 2SD343, 2SD344