2SD383 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD383  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD383

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD383 даташит

 9.1. Size:138K  sanyo
 2sd386a.pdf pdf_icon

2SD383

 9.2. Size:41K  no
 2sd380.pdf pdf_icon

2SD383

 9.3. Size:45K  no
 2sd381.pdf pdf_icon

2SD383

 9.4. Size:69K  wingshing
 2sd389.pdf pdf_icon

2SD383

2SD389 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SB507 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 60 V Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter-Base voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 30 W Junction

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD377, 2SD378, 2SD379, 2SD38, 2SD380, 2SD380A, 2SD381, 2SD382, BC556, 2SD384, 2SD385, 2SD386, 2SD386A, 2SD387, 2SD387A, 2SD388, 2SD389