Справочник транзисторов. 2SD671

 

Биполярный транзистор 2SD671 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD671
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2SD671

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD671 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:38K  no
 2sd673a.pdf pdf_icon

2SD671

 9.2. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd679.pdf pdf_icon

2SD671

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD679DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 70V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.)@ I = 3ACE(sat) C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose ampl

 9.3. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd673.pdf pdf_icon

2SD671

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD673DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 60W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB653Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 9.4. Size:184K  inchange semiconductor
 2sd670.pdf pdf_icon

2SD671

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD670DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 100V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.)@ I = 10ACE(sat) C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: GC123 | MMUN2136L | BTB718N3 | 2SC1219 | 2S502 | 2N2075 | 2SC1192

 

 
Back to Top

 


 
.