Биполярный транзистор 3N110 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3N110
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
Корпус транзистора: TO72
3N110 Datasheet (PDF)
13n110a.pdf
IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52
ixth13n110.pdf
IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ