Справочник транзисторов. 3N110

 

Биполярный транзистор 3N110 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3N110
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для 3N110

 

 

3N110 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:49K  ixys
13n110a.pdf

3N110
3N110

IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52

 0.2. Size:46K  ixys
ixth13n110.pdf

3N110
3N110

IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52

Другие транзисторы... 3N102 , 3N103 , 3N104 , 3N105 , 3N106 , 3N107 , 3N108 , 3N109 , KTB688 , 3N111 , 3N112 , 3N113 , 3N114 , 3N115 , 3N116 , 3N117 , 3N118 .

 

 
Back to Top