3N110 - описание и поиск аналогов

 

3N110 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3N110
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для 3N110

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N110 - технические параметры

 0.1. Size:49K  ixys
 13n110a.pdf pdf_icon

3N110

IXTH 13N110 VDSS = 1100 V MegaMOSTMFET ID25 = 13 A RDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1100 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C13 A G = Gate, D = Drain, IDM TC = 25 C, pulse width limited by TJM 52

 0.2. Size:46K  ixys
 ixth13n110.pdf pdf_icon

3N110

IXTH 13N110 VDSS = 1100 V MegaMOSTMFET ID25 = 13 A RDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1100 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C13 A G = Gate, D = Drain, IDM TC = 25 C, pulse width limited by TJM 52

Другие транзисторы... 3N102 , 3N103 , 3N104 , 3N105 , 3N106 , 3N107 , 3N108 , 3N109 , 13005 , 3N111 , 3N112 , 3N113 , 3N114 , 3N115 , 3N116 , 3N117 , 3N118 .

 

 
Back to Top

 


 
.