3N110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N110  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3N110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N110 даташит

 0.1. Size:49K  ixys
 13n110a.pdf pdf_icon

3N110

IXTH 13N110 VDSS = 1100 V MegaMOSTMFET ID25 = 13 A RDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1100 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C13 A G = Gate, D = Drain, IDM TC = 25 C, pulse width limited by TJM 52

 0.2. Size:46K  ixys
 ixth13n110.pdf pdf_icon

3N110

IXTH 13N110 VDSS = 1100 V MegaMOSTMFET ID25 = 13 A RDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1100 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C13 A G = Gate, D = Drain, IDM TC = 25 C, pulse width limited by TJM 52

Другие транзисторы: 3N102, 3N103, 3N104, 3N105, 3N106, 3N107, 3N108, 3N109, BD177, 3N111, 3N112, 3N113, 3N114, 3N115, 3N116, 3N117, 3N118