3N115 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N115  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3N115

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N115 даташит

 0.1. Size:132K  chenmko
 3n1151gp.pdf pdf_icon

3N115

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD 3N1151GP SMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5 Ampere APPLICATION * Power driver and Dc to DC convertor . FEATURE * Small flat package. (TO-126) TO-126 * Low collector-emitter saturation voltage * Large collector current .114(2.90) .307(7.80) * High power dissipation .059(1.50) .098(2.50) .291(7.40) .043(1.10) .161(4.10

 0.2. Size:769K  way-on
 wm03n115a.pdf pdf_icon

3N115

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WM03N115A uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S S Features S G V = 30V, I = 11.5A DS D SOP-8L R

Другие транзисторы: 3N107, 3N108, 3N109, 3N110, 3N111, 3N112, 3N113, 3N114, BD778, 3N116, 3N117, 3N118, 3N119, 3N120, 3N121, 3N123, 3N127