Справочник транзисторов. 3N115

 

Биполярный транзистор 3N115 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3N115
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для 3N115

 

 

3N115 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:132K  chenmko
3n1151gp.pdf

3N115
3N115

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD3N1151GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (TO-126)TO-126* Low collector-emitter saturation voltage * Large collector current .114(2.90).307(7.80)* High power dissipation .059(1.50).098(2.50).291(7.40).043(1.10).161(4.10

 0.2. Size:769K  way-on
wm03n115a.pdf

3N115
3N115

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR

Другие транзисторы... 3N107 , 3N108 , 3N109 , 3N110 , 3N111 , 3N112 , 3N113 , 3N114 , 8550 , 3N116 , 3N117 , 3N118 , 3N119 , 3N120 , 3N121 , 3N123 , 3N127 .

 

 
Back to Top