Биполярный транзистор 3N115 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3N115
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Корпус транзистора: TO72
3N115 Datasheet (PDF)
3n1151gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD3N1151GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (TO-126)TO-126* Low collector-emitter saturation voltage * Large collector current .114(2.90).307(7.80)* High power dissipation .059(1.50).098(2.50).291(7.40).043(1.10).161(4.10
wm03n115a.pdf

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .



Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050