9014D - описание и поиск аналогов

 

9014D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 9014D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 64
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 9014D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

9014D - технические параметры

 ..1. Size:167K  semtech
9014a 9014b 9014c 9014d.pdfpdf_icon

9014D

9014 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups, A, B, C and D, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor 9015 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Base 3. Collector manufactured in different pin configurations. TO-92

 0.1. Size:219K  mcc
s9014b s9014c s9014d.pdfpdf_icon

9014D

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 S9014-D Fax (818) 701-4939 Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.1A Collector-base Voltage 50V Transistors Operating and

 0.2. Size:66K  semtech
mmbt9014b mmbt9014c mmbt9014d.pdfpdf_icon

9014D

MMBT9014 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications As complementary types the PNP transistor MMBT9015 is recommended. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 50 V Collector Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 100 mA

 0.3. Size:1293K  cn cbi
mmdt9014dw.pdfpdf_icon

9014D

Plastic-Encapsulate Transistors DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) 6 FEATURES 5 4 Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available(MMDT9015 ) DW 1 2 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 3 MARKING TGL6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector- Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltag

Другие транзисторы... 9012H , 9013 , 9013D , 9013E , 9013F , 9013G , 9013H , 9014 , S8550 , 9014E , 9014F , 9014G , 9014H , 9015 , 9015A , 9015B , 9015C .

History: KCX70

 

 
Back to Top

 


 
.