9014D - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 9014D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 64
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 9014D
9014D - технические параметры
9014a 9014b 9014c 9014d.pdf
9014 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups, A, B, C and D, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor 9015 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Base 3. Collector manufactured in different pin configurations. TO-92
s9014b s9014c s9014d.pdf
MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 S9014-D Fax (818) 701-4939 Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.1A Collector-base Voltage 50V Transistors Operating and
mmbt9014b mmbt9014c mmbt9014d.pdf
MMBT9014 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications As complementary types the PNP transistor MMBT9015 is recommended. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 50 V Collector Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 100 mA
mmdt9014dw.pdf
Plastic-Encapsulate Transistors DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) 6 FEATURES 5 4 Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available(MMDT9015 ) DW 1 2 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 3 MARKING TGL6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector- Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltag
Другие транзисторы... 9012H , 9013 , 9013D , 9013E , 9013F , 9013G , 9013H , 9014 , S8550 , 9014E , 9014F , 9014G , 9014H , 9015 , 9015A , 9015B , 9015C .
History: KCX70
History: KCX70
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630






