Справочник транзисторов. AM82731-003

 

Биполярный транзистор AM82731-003 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: AM82731-003
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SO42

 Аналоги (замена) для AM82731-003

 

 

AM82731-003 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  st
am82731-003.pdf

AM82731-003
AM82731-003

AM82731-003RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.10:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT 3.0 W. MIN. WITH 5.7 dB GAIN=hermetically sealed.BANDWIDTH 400 MHz=ORDER CODE BRANDINGAM 82731

 5.1. Size:61K  st
am82731-05.pdf

AM82731-003
AM82731-003

AM82731-050RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.RUGGEDIZED VSWR 3:1 @ 1 dB OVER-DRIVE.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .400 2LFL (S036).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 50 W MIN. WITH 6 dB GAINOUT =ORDER CODE BRANDINGAM82731-050 82731-50DESC

 5.2. Size:60K  st
am82731-025.pdf

AM82731-003
AM82731-003

AM82731-025RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.LOW PARASITIC, DOUBLE LEVEL MET-AL DESIGN.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.3:1 VSWR @ 1 dB OVERDRIVE.LOW RF THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING.400 x .400 2LFL (S036).OVERLAY GEOMETRYhermetically sealed.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEORDER CODE BRANDING.P 25 W MIN. WITH

 7.1. Size:67K  st
am82731.pdf

AM82731-003
AM82731-003

AM82731-006RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT 5.5 W. MIN. WITH 5.6 dB GAIN=hermetically sealed.BANDWIDTH 400 MHz=ORDER CODE BRANDINGAM 82731-

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top