AM82731-025 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AM82731-025 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SO36
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для AM82731-025
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
AM82731-025 даташит
am82731-025.pdf
AM82731-025 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .LOW PARASITIC, DOUBLE LEVEL MET- AL DESIGN .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .3 1 VSWR @ 1 dB OVERDRIVE .LOW RF THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING .400 x .400 2LFL (S036) .OVERLAY GEOMETRY hermetically sealed .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE ORDER CODE BRANDING .P 25 W MIN. WITH
am82731-05.pdf
AM82731-050 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .RUGGEDIZED VSWR 3 1 @ 1 dB OVER- DRIVE .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .400 x .400 2LFL (S036) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .P 50 W MIN. WITH 6 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM82731-050 82731-50 DESC
am82731-003.pdf
AM82731-003 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .10 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2NLFL (S042) .POUT 3.0 W. MIN. WITH 5.7 dB GAIN = hermetically sealed .BANDWIDTH 400 MHz = ORDER CODE BRANDING AM 82731
am82731.pdf
AM82731-006 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2NLFL (S042) .POUT 5.5 W. MIN. WITH 5.6 dB GAIN = hermetically sealed .BANDWIDTH 400 MHz = ORDER CODE BRANDING AM 82731-
Другие транзисторы: AM81719-040, AM81720-012, AM82223-010, AM82325-040, AM82325-050, AM82731-003, AM82731-006, AM82731-012, 2222A, AM82731-050, AM83135-001, AM83135-003, AM83135-005, AM83135-010, AM83135-015, AM83135-030, AM83135-040
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: TA2735 | AM83135-001
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet




