BD500B - описание и поиск аналогов

 

BD500B - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD500B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD500B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD500B - технические параметры

 ..1. Size:193K  inchange semiconductor
 bd500 bd500b.pdf pdf_icon

BD500B

isc Silicon PNP Power Transistors BD500/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -50V(Min) CEO(SUS) -80V(Min) High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.1. Size:105K  inchange semiconductor
 bd500-b bd500 b.pdf pdf_icon

BD500B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD500/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -50V(Min) -80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы... BD467 , BD477 , BD477A , BD477B , BD487 , BD488 , BD500 , BD500A , TIP42C , BD501 , BD501A , BD501B , BD505 , BD505-1 , BD505-5 , BD506 , BD506-1 .

 

 
Back to Top

 


 
.