BD643 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD643  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD643

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD643 даташит

 ..1. Size:194K  inchange semiconductor
 bd643.pdf pdf_icon

BD643

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD643 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Saturation Voltage Complement to Type BD644 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output st

 0.1. Size:331K  comset
 bd643-bd645-bd647-bd649-bd651.pdf pdf_icon

BD643

SEMICONDUCTORS BD643/645/647/649/651 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. PNP complements are BD644, BD646, BD648, BD650 and BD652 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
 bd643f.pdf pdf_icon

BD643

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD643F DESCRIPTION High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD644F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

Другие транзисторы: BD619, BD620, BD633, BD634, BD635, BD636, BD637, BD638, BD333, BD643F, BD644, BD644F, BD645, BD645F, BD646, BD646F, BD647