BD644F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD644F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD644F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD644F даташит

 9.1. Size:363K  comset
 bd644-bd646-bd648-bd650-bd652.pdf pdf_icon

BD644F

SEMICONDUCTORS BD644/646/648/650/652 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647, BD649 and BD651 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings

 9.2. Size:193K  inchange semiconductor
 bd644.pdf pdf_icon

BD644F

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD644 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = -3A FE C Low Saturation Voltage Complement to Type BD643 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output

Другие транзисторы: BD634, BD635, BD636, BD637, BD638, BD643, BD643F, BD644, BC547, BD645, BD645F, BD646, BD646F, BD647, BD647F, BD648, BD648F