BDX53B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDX53B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDX53B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX53B даташит

 ..1. Size:169K  motorola
 bdx53b bdx54.pdf pdf_icon

BDX53B

Order this document MOTOROLA by BDX53B/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN Plastic Medium-Power BDX53B Complementary Silicon Transistors BDX53C PNP . . . designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. BDX54B High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage @ 100 mAdc BDX54C VCEO(sus) = 80

 ..2. Size:73K  st
 bdx53b bdx53c bdx54b bdx54c.pdf pdf_icon

BDX53B

BDX53B - BDX53C BDX54B - BDX54C Complementary power Darlington transistors Features Good hFE linearity High fT frequency Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Application 3 2 1 Audio amplifiers TO-220 Linear and switching industrial equipment Description The devices are manufactured in planar base island t

 ..3. Size:355K  onsemi
 bdx53b bdx53c bdx54b bdx54c.pdf pdf_icon

BDX53B

BDX53B, BDX53C (NPN), BDX54B, BDX54C (PNP) Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors www.onsemi.com These devices are designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. DARLINGTON Features 8 AMPERE High DC Current Gain - COMPLEMENTARY SILICON hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc POWER TRANSISTORS Collector Emitter Sustaining Voltage - @ 1

 ..4. Size:215K  inchange semiconductor
 bdx53b.pdf pdf_icon

BDX53B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX53B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min) CEO(sus) High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Collector Saturation Voltage V = 2.0 V(Max) @ I = 3.0 A CE(sat) C Complement to Type BDX54B Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS De

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BDX50-4, BDX50-5, BDX50-6, BDX50-7, BDX51, BDX53, BDX53A, BDX53AFI, 2N2907, BDX53BFI, BDX53C, BDX53CFI, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX53H, BDX53S