BDX53CFI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDX53CFI  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDX53CFI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX53CFI даташит

 8.1. Size:73K  st
 bdx53b bdx53c bdx54b bdx54c.pdf pdf_icon

BDX53CFI

BDX53B - BDX53C BDX54B - BDX54C Complementary power Darlington transistors Features Good hFE linearity High fT frequency Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Application 3 2 1 Audio amplifiers TO-220 Linear and switching industrial equipment Description The devices are manufactured in planar base island t

 8.2. Size:149K  fairchild semi
 bdx53c.pdf pdf_icon

BDX53CFI

March 2011 BDX53/A/B/C NPN Epitaxial Silicon Transistor Applications Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications Features Power Darlington TR Complement to BDX54, BDX54A, BDX54B and BDX54C respectively Equivalent Circuit C B TO-220 1 R1 R2 1.Base 2.Collector 3.Emitter R1 8.4k E R2 0.3k Absolute Maximum Ratin

 8.3. Size:355K  onsemi
 bdx53b bdx53c bdx54b bdx54c.pdf pdf_icon

BDX53CFI

BDX53B, BDX53C (NPN), BDX54B, BDX54C (PNP) Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors www.onsemi.com These devices are designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. DARLINGTON Features 8 AMPERE High DC Current Gain - COMPLEMENTARY SILICON hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc POWER TRANSISTORS Collector Emitter Sustaining Voltage - @ 1

 8.4. Size:148K  onsemi
 bdx53cg.pdf pdf_icon

BDX53CFI

BDX53B, BDX53C (NPN), BDX54B, BDX54C (PNP) Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors http //onsemi.com These devices are designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. DARLINGTON Features 8 AMPERE High DC Current Gain - COMPLEMENTARY SILICON hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc POWER TRANSISTORS Collector Emitter Sustaining Voltage -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BDX50-7, BDX51, BDX53, BDX53A, BDX53AFI, BDX53B, BDX53BFI, BDX53C, 431, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX53H, BDX53S, BDX54, BDX54A, BDX54AFI