BUT211 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUT211  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUT211

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT211 даташит

 ..1. Size:54K  philips
 but211 1.pdf pdf_icon

BUT211

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUT211 GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high speed switching npn transistor in TO220AB envelope specially suited for high frequency electronic lighting ballast applications. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage peak value VBE

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
 but211.pdf pdf_icon

BUT211

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT211 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V(Min.) High Speed Switching APPLICATIONS Designed for high frequency electronic lighting ballast applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 850 V V

 0.1. Size:57K  philips
 but211x 1.pdf pdf_icon

BUT211

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUT211X GENERAL DESCRIPTION Enhanced performance, new generation, high speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope specially suited for high frequency electronic lighting ballast applications. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage

 0.2. Size:232K  inchange semiconductor
 but211x.pdf pdf_icon

BUT211

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT211X DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 400V(Min.) High Speed Switching APPLICATIONS Designed for high frequency electronic lighting ballast applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 850 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUT14, BUT15, BUT16, BUT18, BUT18A, BUT18AF, BUT18F, BUT21, TIP120, BUT21A, BUT21AF, BUT21B, BUT21BF, BUT21C, BUT21CF, BUT22A, BUT22B