2N3740 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2N3740 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO66
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2N3740
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N3740 даташит
2n3740.pdf
7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE (561) 842-0305 FAX (561) 845-7813 2N3740 APPLICATIONS Drivers Switches Medium-Power Amplifiers FEATURES Medium Power Low Saturation Voltage 0.6 VCE(sat) @ IC = 1.0 Amp High Gain Characteristics hFE @ IC = 250 mA 30-100 PNP Transistors Excellent Safe Area Limits Complementary to NP
2n3740 2n3741.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N3740/3741 DESCRIPTION DC Current Gain- hFE= 30-100@IC= -250mA Wide Area of Safe Operation Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= -0.6 V(Max)@ IC = -1A APPLICATIONS Designed for use as drivers, switches and medium-power amplifier and general purpose applications ABSOL
2n3740r.pdf
2N3740R Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar PNP Device. 1 2 VCEO = 60V IC = 4A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS speci
2n3740a.pdf
7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE (561) 842-0305 FAX (561) 845-7813 2N3740A APPLICATIONS Drivers Switches Medium-Power Amplifiers FEATURES Medium Power Low Saturation Voltage 0.6 VCE(sat) @ IC = 1.0 Amp High Gain Characteristics hFE @ IC = 250 mA 30-100 PNP Transistors Excellent Safe Area Limits Low Collector Cuto
Другие транзисторы: 2N3735S, 2N3736, 2N3736A, 2N3737, 2N3737A, 2N3738, 2N3739, 2N374, S9014, 2N3740A, 2N3740AR, 2N3741, 2N3741A, 2N3741R, 2N3742, 2N3742S, 2N3743
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet



