KSB596 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSB596
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220
KSB596 Datasheet (PDF)
ksb596.pdf
KSB596 Power Amplifier Applications Complement to KSD526 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 80 V VEBO Emitter-Base Voltage - 5 V IC Collector Current(DC) - 4 A IB Base Current - 0.4 A
ksb596.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... KSB546R , KSB546Y , KSB564 , KSB564A , KSB564AG , KSB564AO , KSB564AY , KSB595 , 2222A , KSB601 , KSB601O , KSB601R , KSB707 , KSB707O , KSB707R , KSB707Y , KSB708 .
History: KSB707
History: KSB707
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550



