KSC2310Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC2310Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC2310Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC2310Y даташит

 7.1. Size:41K  fairchild semi
ksc2310.pdfpdf_icon

KSC2310Y

KSC2310 High Voltage Power Amplifier Collector-Base Voltage VCBO=200V Current Gain Bandwidth Product fT=100MHz TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V VEBO Emitter-Base Voltage 5

 7.2. Size:66K  samsung
ksc2310.pdfpdf_icon

KSC2310Y

KSC2310 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE POWER AMPLIFIER Collector - Base Voltage VCBO=200V TO-92L Current Gain-Bandwidth Product fT=100MHz ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 200 V Collector-Emitter Voltage VCEO 150 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 50 mW Collector Dissipation

 8.1. Size:41K  fairchild semi
ksc2316.pdfpdf_icon

KSC2310Y

KSC2316 Audio Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Complement to KSA916 TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 800

 8.2. Size:59K  samsung
ksc2316.pdfpdf_icon

KSC2310Y

KSC2316 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER APPLICATIONS Driver Stage Amplifier TO-92L Complement to KSA916 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 120 V Collector-Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 800 mA Collector Dissipation PC 900 mW Junction Temperature

Другие транзисторы: KSC2258AR, KSC2258AY, KSC2258O, KSC2258R, KSC2258Y, KSC2310, KSC2310O, KSC2310R, BC337, KSC2316, KSC2316O, KSC2316Y, KSC2328, KSC2328A, KSC2328AO, KSC2328AY, KSC2330