Биполярный транзистор KSC5022R Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KSC5022R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3P
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KSC5022R Datasheet (PDF)
ksc5024.pdf

KSC5024High Voltage and High Reliabilty High Speed Switching Wide SOATO-3P11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 500 VVEBO Emitter- Base Voltage 7 VIC Collector Current (DC) 10 AICP Collector Current (
ksc5021.pdf

October 2008KSC5021NPN Silicon Transistor High Voltage and High Reliability High Speed Switching : tF = 0.1ms (Typ.) Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units 800 VVCBO Collector-Base Voltage 500 VVCEO Collector-Emitter Voltage 7 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 AIC C
ksc5026m.pdf

January 2011KSC5026MNPN Silicon TransistorFeatures High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 1100 VVCEO Collector-Emitter Voltage 800 VVEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Current (D
ksc5027.pdf

KSC5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MP5141 | NKT135 | 2SA1889 | ME501 | DSL12AW | GC118 | 2SC2672
History: MP5141 | NKT135 | 2SA1889 | ME501 | DSL12AW | GC118 | 2SC2672



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124