KSD526O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD526O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD526O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD526O даташит

 8.1. Size:177K  fairchild semi
 ksd526.pdf pdf_icon

KSD526O

April 2006 KSD526 NPN Epitaxial Silicon Transistor Power Amplifier Applications Complement to KSB596 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 4 A IB Base Current 0.4 A PC

 8.2. Size:260K  onsemi
 ksd526.pdf pdf_icon

KSD526O

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: KSD5074, KSD5075, KSD5075T, KSD5076, KSD5078, KSD5080, KSD5090, KSD526, 2SC4793, KSD526R, KSD526Y, KSD560, KSD560O, KSD560R, KSD560Y, KSD568, KSD568O