Справочник транзисторов. KSH210I

 

Биполярный транзистор KSH210I - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSH210I
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для KSH210I

 

 

KSH210I Datasheet (PDF)

 8.1. Size:52K  fairchild semi
ksh210.pdf

KSH210I
KSH210I

KSH210D-PAK for Surface Mount Applications High DC Current Gain Low Collector Emitter Saturation Voltage Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix)D-PAK I-PAK111.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VC

 8.2. Size:24K  samsung
ksh210.pdf

KSH210I
KSH210I

KSH210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORD-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS High DC Current Gain D-PAK Low Collector Emitter Saturation Voltage Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I. PACK, - I Suffix)1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit1. Base 2. Collector 3. Emitter Collector Base Voltage VCBO - 40

 8.3. Size:168K  onsemi
ksh210.pdf

KSH210I
KSH210I

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 8.4. Size:253K  inchange semiconductor
ksh210.pdf

KSH210I
KSH210I

isc Silicon PNP Power Transistor KSH210DESCRIPTIONHigh DC current gainBuilt-in a damper diode at E-CLead formed for surface mount applications(NO suffix)Straight lead(IPAK,Isuffix)DPAK for surface mount applications100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifierABSO

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top