MDS1678 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MDS1678  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MDS1678

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MDS1678 даташит

 9.1. Size:729K  magnachip
 mds1654urh.pdf pdf_icon

MDS1678

MDS1654 Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 15A, 9.5m General Description Features The MDS1654 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 30V Technology, which provides low on-state resistance, ID = 15A @VGS = 10V high switching performance and excellent reliability. RDS(ON)

 9.2. Size:678K  magnachip
 mds1655urh.pdf pdf_icon

MDS1678

MDS1655 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 11A, 17.5m General Description Features The MDS1655 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state ID = 11A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDS1655 is suitable device for DC-DC

 9.3. Size:641K  magnachip
 mds1651urh.pdf pdf_icon

MDS1678

MDS1651 Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 11.6A, 17m General Description Features The MDS1651 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 30V Technology, which provides low on-state resistance, ID = 11.6A@VGS = 10V high switching performance and excellent reliability. RDS(ON)

 9.4. Size:1043K  magnachip
 mds1652eruh.pdf pdf_icon

MDS1678

Preliminary Subject to change without notice MDS1652E Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16A, 5.0m General Description Features The MDS1652E uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 30V Technology, which provides high performance in on-state I = 16A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. Excelle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MD982F, MD984, MD984F, MD985, MD985F, MD986, MD986F, MD990, BC549, MDS20, MDS21, MDS26, MDS27, MDS60, MDS76, MDS77, ME0401