Справочник транзисторов. MJE53T

 

Биполярный транзистор MJE53T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJE53T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для MJE53T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE53T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 mje53t.pdf pdf_icon

MJE53T

isc Silicon NPN Power Transistor MJE53TDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage inverters, switching regulatorsand line operated amplifier applications. Especially wellsuited for switching power supply applicationsABSOLU

Другие транзисторы... MJE51T , MJE52 , MJE520 , MJE520K , MJE521 , MJE521K , MJE52T , MJE53 , 2SD669 , MJE5420Z , MJE5655 , MJE5656 , MJE5657 , MJE5730 , MJE5731 , MJE5731A , MJE5732 .

 

 
Back to Top

 


 
.