MJE53T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE53T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE53T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE53T даташит

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 mje53t.pdf pdf_icon

MJE53T

isc Silicon NPN Power Transistor MJE53T DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications ABSOLU

Другие транзисторы: MJE51T, MJE52, MJE520, MJE520K, MJE521, MJE521K, MJE52T, MJE53, TIP2955, MJE5420Z, MJE5655, MJE5656, MJE5657, MJE5730, MJE5731, MJE5731A, MJE5732