MJE53T - описание и поиск аналогов

 

MJE53T - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MJE53T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для MJE53T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE53T - технические параметры

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 mje53t.pdf pdf_icon

MJE53T

isc Silicon NPN Power Transistor MJE53T DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications ABSOLU

Другие транзисторы... MJE51T , MJE52 , MJE520 , MJE520K , MJE521 , MJE521K , MJE52T , MJE53 , TIP2955 , MJE5420Z , MJE5655 , MJE5656 , MJE5657 , MJE5730 , MJE5731 , MJE5731A , MJE5732 .

 

 
Back to Top

 


 
.