Справочник транзисторов. MMBT6517

 

Биполярный транзистор MMBT6517 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT6517
   Маркировка: 1Z
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBT6517

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6517 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  motorola
 mmbt6517.pdf pdf_icon

MMBT6517

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT6517LT1/DHigh Voltage TransistorMMBT6517LT1NPN SiliconMotorola Preferred DeviceCOLLECTOR31BASE32EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 350 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 350 VdcEmitterBase Voltage VE

 ..2. Size:1414K  kexin
 mmbt6517.pdf pdf_icon

MMBT6517

SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBT6517 (KMBT6517)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=350V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9-0.131.BaseCOLLECTOR2.Emitter3.collector1BASE2EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating

 ..3. Size:1836K  eicsemi
 mmbt6517.pdf pdf_icon

MMBT6517

TH09/2479TH97/2478 IATF 0113686SGS TH07/1033www.eicsemi.comMMBT6517 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. TO-236 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit350 VCollector Base Voltage VCBO350

 0.1. Size:124K  onsemi
 mmbt6517lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6517

MMBT6517L,NSVMMBT6517LHigh Voltage TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTERC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBT5857 , MMBT5858 , MMBT5910 , MMBT6076 , MMBT6427 , MMBT6427LT1 , MMBT6428 , MMBT6429 , 2N3055 , MMBT6520 , MMBT6543 , MMBT8598 , MMBT8599 , MMBT918 , MMBT918R , MMBT930 , MMBT930R .

History: KT6128E | AF131 | 2SC4684

 

 
Back to Top

 


 
.