MMBT6517 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT6517  📄📄 

Маркировка: 1Z

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT6517

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6517 даташит

 ..1. Size:230K  motorola
 mmbt6517.pdf pdf_icon

MMBT6517

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT6517LT1/D High Voltage Transistor MMBT6517LT1 NPN Silicon Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 350 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 350 Vdc Emitter Base Voltage VE

 ..2. Size:1414K  kexin
 mmbt6517.pdf pdf_icon

MMBT6517

SMD Type Transistors NPN Transistors MMBT6517 (KMBT6517) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=350V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9-0.1 3 1.Base COLLECTOR 2.Emitter 3.collector 1 BASE 2 EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating

 ..3. Size:1836K  eicsemi
 mmbt6517.pdf pdf_icon

MMBT6517

TH09/2479 TH97/2478 IATF 0113686 SGS TH07/1033 www.eicsemi.com MMBT6517 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 350 V Collector Base Voltage VCBO 350

 0.1. Size:124K  onsemi
 mmbt6517lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6517

MMBT6517L, NSVMMBT6517L High Voltage Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5857, MMBT5858, MMBT5910, MMBT6076, MMBT6427, MMBT6427LT1, MMBT6428, MMBT6429, 2N3904, MMBT6520, MMBT6543, MMBT8598, MMBT8599, MMBT918, MMBT918R, MMBT930, MMBT930R