Биполярный транзистор TIP513 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP513
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO59
TIP513 Datasheet (PDF)
0.1. tip513.pdf 
Size:212K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor TIP513DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = -5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -150V(Min.)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 30W @T 100C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and high speed switchingapplications
9.1. tip51 tip52 tip53 tip54.pdf Size:127K _mospec
AAA
9.2. tip51.pdf Size:218K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors TIP51DESCRIPTIONDC Current Gain -h = 30~150@ I = 0.3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for line operated audio output amplifier,and switchingpower supply drivers applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
9.3. tip514.pdf Size:212K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor TIP514DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = -5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -150V(Min.)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 20W @T 100C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and high speed switchingapplications
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
