BLT53 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLT53  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3900 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT122D

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BLT53

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLT53 даташит

 ..1. Size:60K  philips
 blt53.pdf pdf_icon

BLT53

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLT53 UHF power transistor May 1991 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLT53 FEATURES QUICK REFERENCE DATA RF performance at Tmb = 25 C in a common emitter test circuit. Emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile MODE OF f VCE PL Gp c Gold metallization ensures

Другие транзисторы: BLS2731-20, BLS2731-50, BLS3135-10, BLS3135-20, BLS3135-50, BLS3135-65, BLT13, BLT52, 2SD1047, BLT61, BLT70, BLT71-8, BLT81, BLT82, BLT94, BLU11-SL, BLU56