FJI5603D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FJI5603D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO262

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FJI5603D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJI5603D даташит

 ..1. Size:206K  fairchild semi
 fji5603d.pdf pdf_icon

FJI5603D

June 2008 FJI5603D NPN Silicon Transistor Applications Equivalent Circuit High Voltage and High Speed Power Switch Application C Electronic Ballast Application Features B Wide Safe Operating Area Small Variance in Storage Time I2-PAK 1 E Built-in Free Wheeling Diode 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta = 25 C unless otherwise noted Symb

 ..2. Size:277K  onsemi
 fji5603d.pdf pdf_icon

FJI5603D

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: FJB3307D, FJD3076, FJD3305H1, FJD5304D, FJD5553, FJD5555, FJE3303, FJE5304D, 2N2907, FJL4215, FJL4315, FJL6920, FJN3303F, FJP13007, FJP13009, FJP3305, FJP3307D