KSC5603D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC5603D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC5603D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5603D даташит

 ..1. Size:109K  fairchild semi
 ksc5603d.pdf pdf_icon

KSC5603D

February 2010 KSC5603D NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor Features Equivalent Circuit C High Voltage High Speed Power Switch Application Wide Safe Operating Area Built-in Free Wheeling Diode B Suitable for Electronic Ballast Application TO-220 1 Small Variance in Storage Time 1.Base 2.Collector 3.Emitter E Absolute Maximum Ratings TA = 25 C

 ..2. Size:312K  onsemi
 ksc5603d.pdf pdf_icon

KSC5603D

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: KSC5305D, KSC5305DF, KSC5338D, KSC5402D, KSC5402DT, KSC5502, KSC5502D, KSC5502DT, TIP41, KSE13003T, KSE44H, KSE45H, MJD41CTF, MJD47TF, MJD50TF, NZT902, BFS17N