NJD35N04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NJD35N04  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NJD35N04

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJD35N04 даташит

 0.1. Size:118K  onsemi
 njvnjd35n04.pdf pdf_icon

NJD35N04

NJD35N04G, NJVNJD35N04G, NJVNJD35N04T4G NPN Darlington Power Transistor http //onsemi.com This high voltage power Darlington has been specifically designed for inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control. DARLINGTON Features POWER TRANSISTORS Exceptional Safe Operating Area 4 AMPERES High VCE; High Current Gain 350 VOLTS

 0.2. Size:118K  onsemi
 njd35n04t4g.pdf pdf_icon

NJD35N04

NJD35N04G, NJVNJD35N04G, NJVNJD35N04T4G NPN Darlington Power Transistor http //onsemi.com This high voltage power Darlington has been specifically designed for inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control. DARLINGTON Features POWER TRANSISTORS Exceptional Safe Operating Area 4 AMPERES High VCE; High Current Gain 350 VOLTS

 0.3. Size:118K  onsemi
 njd35n04g.pdf pdf_icon

NJD35N04

NJD35N04G, NJVNJD35N04G, NJVNJD35N04T4G NPN Darlington Power Transistor http //onsemi.com This high voltage power Darlington has been specifically designed for inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control. DARLINGTON Features POWER TRANSISTORS Exceptional Safe Operating Area 4 AMPERES High VCE; High Current Gain 350 VOLTS

Другие транзисторы: MUN5316DW1, MUN5330DW1, MUN5332DW1, MUN5333DW1, MUN5334DW1, MUN5335DW1, NJD1718, NJD2873, BD135, NJL0281D, NJL0302D, NJL1302D, NJL3281D, NJL4281D, NJL4302D, NJT4030P, NJT4031NT1G