NS2029M3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NS2029M3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.265 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT723

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NS2029M3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NS2029M3 даташит

 ..1. Size:116K  onsemi
 ns2029m3.pdf pdf_icon

NS2029M3

NS2029M3 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board www.onsemi.com space is at a premium. Features PNP GENERAL Reduces Board Space PURPOSE AMPLIFIER High hFE, 210-460 (Typical)

 0.1. Size:69K  onsemi
 ns2029m3t5g.pdf pdf_icon

NS2029M3

NS2029M3T5G PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board http //onsemi.com space is at a premium. Reduces Board Space High hFE, 210 - 460 (Typical) PNP GENERAL Low VCE(sat),

Другие транзисторы: NJL4281D, NJL4302D, NJT4030P, NJT4031NT1G, NJW0302, NJW1302, NJW21194, NJX1675P, 2SC945, NSB1706DMW5, NSB4904DW1, NSB9435, NSL12AW, NSM6056MT1G, NSM80100M, NSM80101M, NSS12100M3T5G