Справочник транзисторов. PBSS2515M

 

Биполярный транзистор PBSS2515M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS2515M
   Маркировка: S2
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.43 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT883
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS2515M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  nxp
pbss2515m.pdfpdf_icon

PBSS2515M

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D883BOTTOM VIEWPBSS2515M15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2003 Sep 15Supersedes data of 2003 Jun 17NXP Semiconductors Product data sheet15 V, 0.5 A PBSS2515MNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 0.1. Size:1143K  nxp
pbss2515mb.pdfpdf_icon

PBSS2515M

PBSS2515MB15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 1 26 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS3515MB.1.2 Features and benefits Leadless ultra small SMD plastic High

 6.1. Size:65K  philips
pbss2515f 1.pdfpdf_icon

PBSS2515M

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PBSS2515FNPN transistorProduct specification 2000 Oct 25Philips Semiconductors Product specificationNPN transistor PBSS2515FFEATURES PINNING Low VCEsatPIN DESCRIPTION High current capabilities.1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Heavy duty battery powered equipment (automotive,telecom and audio video) such as

 6.2. Size:142K  philips
pbss2515vs.pdfpdf_icon

PBSS2515M

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744PBSS2515VS15 V low VCE(sat) NPN double transistorProduct data sheet 2004 Dec 23Supersedes data of 2001 Nov 07NXP Semiconductors Product data sheet15 V low VCE(sat) NPN double transistorPBSS2515VSFEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 1.2 mm ultra thin pac

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BD664A | 3DD3150A | KSP6520 | C9012B-G | BC807-25L | ZTX341M | 3DD201

 

 
Back to Top

 


 
.