PBSS302NX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS302NX  📄📄 

Маркировка: *5C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS302NX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS302NX даташит

 ..1. Size:188K  philips
 pbss302nx.pdf pdf_icon

PBSS302NX

PBSS302NX 20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 20 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS302PX. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

 ..2. Size:305K  nxp
 pbss302nx.pdf pdf_icon

PBSS302NX

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:136K  philips
 pbss302nd.pdf pdf_icon

PBSS302NX

PBSS302ND 40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 18 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS302PD. 1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuou

 6.2. Size:164K  philips
 pbss302nz.pdf pdf_icon

PBSS302NX

PBSS302NZ 20 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 20 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS302PZ. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS2540M, PBSS301ND, PBSS301NX, PBSS301NZ, PBSS301PD, PBSS301PX, PBSS301PZ, PBSS302ND, D880, PBSS302NZ, PBSS302PD, PBSS302PX, PBSS302PZ, PBSS303ND, PBSS303NX, PBSS303NZ, PBSS303PD