Справочник транзисторов. PBSS304PD

 

Биполярный транзистор PBSS304PD Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS304PD
   Маркировка: AJ
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 155
   Корпус транзистора: SOT457 SC74
 

 Аналог (замена) для PBSS304PD

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS304PD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  philips
 pbss304pd.pdf pdf_icon

PBSS304PD

PBSS304PD80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 24 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS304ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current

 ..2. Size:122K  nxp
 pbss304pd.pdf pdf_icon

PBSS304PD

PBSS304PD80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 24 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS304ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current

 6.1. Size:173K  nxp
 pbss304pz.pdf pdf_icon

PBSS304PD

PBSS304PZ60 V, 4.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 8 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS304NZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

 6.2. Size:198K  nxp
 pbss304px.pdf pdf_icon

PBSS304PD

PBSS304PX60 V, 4.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 8 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS304NX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBSS303NX , PBSS303NZ , PBSS303PD , PBSS303PX , PBSS303PZ , PBSS304ND , PBSS304NX , PBSS304NZ , 2SA1015 , PBSS304PX , PBSS304PZ , PBSS305ND , PBSS305NX , PBSS305NZ , PBSS305PD , PBSS305PX , PBSS305PZ .

History: 2SD220 | BD201

 

 
Back to Top

 


 
.