PBSS304PD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS304PD  📄📄 

Маркировка: AJ

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 155

Корпус транзистора: SOT457 SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS304PD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS304PD даташит

 ..1. Size:129K  philips
 pbss304pd.pdf pdf_icon

PBSS304PD

PBSS304PD 80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 24 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS304ND. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current

 ..2. Size:122K  nxp
 pbss304pd.pdf pdf_icon

PBSS304PD

PBSS304PD 80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 24 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS304ND. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current

 6.1. Size:173K  nxp
 pbss304pz.pdf pdf_icon

PBSS304PD

PBSS304PZ 60 V, 4.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 8 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS304NZ. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

 6.2. Size:198K  nxp
 pbss304px.pdf pdf_icon

PBSS304PD

PBSS304PX 60 V, 4.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 8 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS304NX. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS303NX, PBSS303NZ, PBSS303PD, PBSS303PX, PBSS303PZ, PBSS304ND, PBSS304NX, PBSS304NZ, BC639, PBSS304PX, PBSS304PZ, PBSS305ND, PBSS305NX, PBSS305NZ, PBSS305PD, PBSS305PX, PBSS305PZ