Справочник транзисторов. PBSS305NX

 

Биполярный транзистор PBSS305NX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS305NX
   Маркировка: *5F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS305NX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  philips
pbss305nx.pdfpdf_icon

PBSS305NX

PBSS305NX80 V, 4.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 8 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS305PX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 ..2. Size:327K  nxp
pbss305nx.pdfpdf_icon

PBSS305NX

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:186K  nxp
pbss305nz.pdfpdf_icon

PBSS305NX

PBSS305NZ80 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 8 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS305PZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

 6.2. Size:156K  nxp
pbss305nd.pdfpdf_icon

PBSS305NX

PBSS305ND100 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 7 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS305PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 3DD262 | ZTX614 | ECH8503-TL-H | 2SC889 | MPS2484 | BD120 | BF321

 

 
Back to Top

 


 
.