Биполярный транзистор PBSS305NX Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS305NX
Маркировка: *5F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBSS305NX Datasheet (PDF)
pbss305nx.pdf

PBSS305NX80 V, 4.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 8 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS305PX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
pbss305nx.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss305nz.pdf

PBSS305NZ80 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 8 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS305PZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu
pbss305nd.pdf

PBSS305ND100 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 7 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS305PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 3DD262 | ZTX614 | ECH8503-TL-H | 2SC889 | MPS2484 | BD120 | BF321
History: 3DD262 | ZTX614 | ECH8503-TL-H | 2SC889 | MPS2484 | BD120 | BF321



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491