PBSS305NX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS305NX  📄📄 

Маркировка: *5F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS305NX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS305NX даташит

 ..1. Size:210K  philips
pbss305nx.pdfpdf_icon

PBSS305NX

PBSS305NX 80 V, 4.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 8 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS305PX. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 ..2. Size:327K  nxp
pbss305nx.pdfpdf_icon

PBSS305NX

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:186K  nxp
pbss305nz.pdfpdf_icon

PBSS305NX

PBSS305NZ 80 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 8 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS305PZ. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

 6.2. Size:156K  nxp
pbss305nd.pdfpdf_icon

PBSS305NX

PBSS305ND 100 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 7 December 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS305PD. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector curr

Другие транзисторы: PBSS303PZ, PBSS304ND, PBSS304NX, PBSS304NZ, PBSS304PD, PBSS304PX, PBSS304PZ, PBSS305ND, TIP142, PBSS305NZ, PBSS305PD, PBSS305PX, PBSS305PZ, PBSS306NX, PBSS306NZ, PBSS306PX, PBSS306PZ