Справочник транзисторов. PBSS3515E

 

Биполярный транзистор PBSS3515E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS3515E
   Маркировка: 1R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT416 SC75
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS3515E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  nxp
pbss3515e.pdfpdf_icon

PBSS3515E

PBSS3515E15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 27 April 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in an ultra smallSOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS2515E.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collecto

 6.1. Size:64K  philips
pbss3515f 1.pdfpdf_icon

PBSS3515E

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PBSS3515FPNP transistorProduct specification 2000 Oct 25Philips Semiconductors Product specificationPNP transistor PBSS3515FFEATURES PINNING Low VCEsatPIN DESCRIPTION High current capabilities.1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Heavy duty battery powered equipment (Automotive,Telecom and Audio Video) such as

 6.2. Size:142K  philips
pbss3515m.pdfpdf_icon

PBSS3515E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D883BOTTOM VIEWPBSS3515M15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2003 Jul 22NXP Semiconductors Product data sheet15 V, 0.5 A PBSS3515MPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capabili

 6.3. Size:547K  nxp
pbss3515mb.pdfpdf_icon

PBSS3515E

PBSS3515MB15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 1 6 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS2515MB.1.2 Features and benefits Leadless ultra small SMD plastic High ef

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | TV37

 

 
Back to Top

 


 
.