Биполярный транзистор PBSS3515VS Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS3515VS
Маркировка: 35
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT666
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBSS3515VS Datasheet (PDF)
pbss3515vs.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D744PBSS3515VS15 V low VCEsat PNP doubletransistorProduct specification 2001 Nov 07Supersedes data of 2001 Sep 27Philips Semiconductors Product specification15 V low VCEsat PNP double transistorPBSS3515VSFEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 x 1.2 mm ultra thin p
pbss3515f 1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PBSS3515FPNP transistorProduct specification 2000 Oct 25Philips Semiconductors Product specificationPNP transistor PBSS3515FFEATURES PINNING Low VCEsatPIN DESCRIPTION High current capabilities.1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Heavy duty battery powered equipment (Automotive,Telecom and Audio Video) such as
pbss3515m.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D883BOTTOM VIEWPBSS3515M15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2003 Jul 22NXP Semiconductors Product data sheet15 V, 0.5 A PBSS3515MPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capabili
pbss3515e.pdf

PBSS3515E15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 27 April 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in an ultra smallSOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS2515E.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collecto
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: FTB1151 | BSW41 | MJ11018 | 2N3468L | K2121B | 2SD519 | HS5821
History: FTB1151 | BSW41 | MJ11018 | 2N3468L | K2121B | 2SD519 | HS5821



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73