PBSS3515VS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS3515VS  📄📄 

Маркировка: 35

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS3515VS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS3515VS даташит

 ..1. Size:74K  nxp
pbss3515vs.pdfpdf_icon

PBSS3515VS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 PBSS3515VS 15 V low VCEsat PNP double transistor Product specification 2001 Nov 07 Supersedes data of 2001 Sep 27 Philips Semiconductors Product specification 15 V low VCEsat PNP double transistor PBSS3515VS FEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 x 1.2 mm ultra thin p

 6.1. Size:64K  philips
pbss3515f 1.pdfpdf_icon

PBSS3515VS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PBSS3515F PNP transistor Product specification 2000 Oct 25 Philips Semiconductors Product specification PNP transistor PBSS3515F FEATURES PINNING Low VCEsat PIN DESCRIPTION High current capabilities. 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Heavy duty battery powered equipment (Automotive, Telecom and Audio Video) such as

 6.2. Size:142K  philips
pbss3515m.pdfpdf_icon

PBSS3515VS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D883 BOTTOM VIEW PBSS3515M 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2003 Jul 22 NXP Semiconductors Product data sheet 15 V, 0.5 A PBSS3515M PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capabili

 6.3. Size:113K  nxp
pbss3515e.pdfpdf_icon

PBSS3515VS

PBSS3515E 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 27 April 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in an ultra small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS2515E. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collecto

Другие транзисторы: PBSS305PX, PBSS305PZ, PBSS306NX, PBSS306NZ, PBSS306PX, PBSS306PZ, PBSS3515E, PBSS3515M, B647, PBSS3540E, PBSS3540M, PBSS4021NT, PBSS4021PT, PBSS4032ND, PBSS4032NT, PBSS4032PD, PBSS4032PT