Справочник транзисторов. PBSS4021PT

 

Биполярный транзистор PBSS4021PT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4021PT
   Маркировка: *BJ
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 155 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4021PT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  philips
 pbss4021pt.pdf pdf_icon

PBSS4021PT

PBSS4021PT20 V, 3.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 29 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4021NT.1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col

 ..2. Size:293K  nxp
 pbss4021pt.pdf pdf_icon

PBSS4021PT

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 5.1. Size:187K  philips
 pbss4021pz.pdf pdf_icon

PBSS4021PT

PBSS4021PZ20 V, 6.6 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4021NZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V

 5.2. Size:195K  philips
 pbss4021px.pdf pdf_icon

PBSS4021PT

PBSS4021PX20 V, 6.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4021NX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: ZTX4403K | HA7631 | CMXT2207

 

 
Back to Top

 


 
.