Биполярный транзистор PBSS4041NT Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS4041NT
Маркировка: *BK
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PBSS4041NT Datasheet (PDF)
pbss4041nt.pdf

PBSS4041NT60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PT.1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col
pbss4041nz.pdf

PBSS4041NZ60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCE
pbss4041nx.pdf

PBSS4041NX60 V, 6.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati
pbss4041nz.pdf

PBSS4041NZ60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 8 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS4041PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation High
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SC991 | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614
History: 2SC991 | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140