PBSS4041NT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4041NT  📄📄 

Маркировка: *BK

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4041NT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4041NT даташит

 ..1. Size:180K  philips
 pbss4041nt.pdf pdf_icon

PBSS4041NT

PBSS4041NT 60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4041PT. 1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col

 5.1. Size:175K  philips
 pbss4041nz.pdf pdf_icon

PBSS4041NT

PBSS4041NZ 60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4041PZ. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCE

 5.2. Size:194K  philips
 pbss4041nx.pdf pdf_icon

PBSS4041NT

PBSS4041NX 60 V, 6.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 1 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4041PX. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 5.3. Size:201K  nxp
 pbss4041nz.pdf pdf_icon

PBSS4041NT

PBSS4041NZ 60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 2 8 August 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4041PZ. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation High

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS3540E, PBSS3540M, PBSS4021NT, PBSS4021PT, PBSS4032ND, PBSS4032NT, PBSS4032PD, PBSS4032PT, BD139, PBSS4041PT, PBSS4120T, PBSS4130T, PBSS4140DPN, PBSS4140T, PBSS4140U, PBSS4140V, PBSS4160DPN