Справочник транзисторов. PBSS4041NT

 

Биполярный транзистор PBSS4041NT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4041NT
   Маркировка: *BK
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PBSS4041NT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4041NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  philips
 pbss4041nt.pdf pdf_icon

PBSS4041NT

PBSS4041NT60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PT.1.2 Features Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat High col

 5.1. Size:175K  philips
 pbss4041nz.pdf pdf_icon

PBSS4041NT

PBSS4041NZ60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCE

 5.2. Size:194K  philips
 pbss4041nx.pdf pdf_icon

PBSS4041NT

PBSS4041NX60 V, 6.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4041PX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 5.3. Size:201K  nxp
 pbss4041nz.pdf pdf_icon

PBSS4041NT

PBSS4041NZ60 V, 7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 2 8 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS4041PZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation High

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.