PBSS5540Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS5540Z  📄📄 

Маркировка: PB5540

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 105 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS5540Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5540Z даташит

 ..1. Size:144K  philips
 pbss5540z.pdf pdf_icon

PBSS5540Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage M3D087 PBSS5540Z 40 V low VCEsat PNP transistor Product data sheet 2001 Sep 21 Supersedes data of 2001 Jan 26 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat PNP transistor PBSS5540Z FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX UNIT High current capability VCEO emitter-collect

 ..2. Size:67K  philips
 pbss5540z 2.pdf pdf_icon

PBSS5540Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 PBSS5540Z PNP Transistor Product specification 2000 Oct 25 Supersedes data of 1999 Aug 04 Philips Semiconductors Product specification PNP Transistor PBSS5540Z FEATURES PINNING Low VCEsat PIN DESCRIPTION High current capabilities. 1 base 2 collector APPLICATIONS 3 emitter Heavy duty battery powered equip

 ..3. Size:144K  nxp
 pbss5540z.pdf pdf_icon

PBSS5540Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage M3D087 PBSS5540Z 40 V low VCEsat PNP transistor Product data sheet 2001 Sep 21 Supersedes data of 2001 Jan 26 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat PNP transistor PBSS5540Z FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX UNIT High current capability VCEO emitter-collect

 ..4. Size:1554K  kexin
 pbss5540z.pdf pdf_icon

PBSS5540Z

SMD Type Transistors PNP Transistors PBSS5540Z (KBSS5540Z) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 Low collector-emitter saturation voltage High current capability Improved device reliability due to reduced heat generation. 1 2 3 2, 4 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS5350T, PBSS5350X, PBSS5350Z, PBSS5420D, PBSS5440D, PBSS5480X, PBSS5520X, PBSS5540X, 2SC2240, PBSS5560PA, PBSS5580PA, PBSS5612PA, PBSS5620PA, PBSS5630PA, PBSS8110D, PBSS8110T, PBSS8110X