Справочник транзисторов. PBSS9410PA

 

Биполярный транзистор PBSS9410PA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS9410PA
   Маркировка: AG
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT1061
 

 Аналог (замена) для PBSS9410PA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS9410PA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  philips
pbss9410pa.pdfpdf_icon

PBSS9410PA

PBSS9410PA100 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 11 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.NPN complement: PBSS8510PA.1.2 Features and benefit

 ..2. Size:284K  nxp
pbss9410pa.pdfpdf_icon

PBSS9410PA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 9.1. Size:180K  philips
pbss9110t.pdfpdf_icon

PBSS9410PA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088PBSS9110T100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 May 13Supersedes data of 2004 May 06NXP Semiconductors Product data sheet100 V, 1 A PBSS9110TPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT23 packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturatio

 9.2. Size:184K  nxp
pbss9110x.pdfpdf_icon

PBSS9410PA

PBSS9110X100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 22 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package.NPN complement: PBSS8110X.1.2 Features SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current ca

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: AT529 | TP4965

 

 
Back to Top

 


 
.