PBSS9410PA - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PBSS9410PA
Маркировка: AG
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT1061
Аналоги (замена) для PBSS9410PA
PBSS9410PA - технические параметры
pbss9410pa.pdf
PBSS9410PA 100 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 11 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS8510PA. 1.2 Features and benefit
pbss9410pa.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss9110t.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PBSS9110T 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 May 13 Supersedes data of 2004 May 06 NXP Semiconductors Product data sheet 100 V, 1 A PBSS9110T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT23 package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturatio
pbss9110x.pdf
PBSS9110X 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 22 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package. NPN complement PBSS8110X. 1.2 Features SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current ca
Другие транзисторы... PBSS8110Y , PBSS8110Z , PBSS8510PA , PBSS9110D , PBSS9110T , PBSS9110X , PBSS9110Y , PBSS9110Z , TIP120 , PDTA113EE , PDTA113EM , PDTA113ET , PDTA113EU , PDTA113ZE , PDTA113ZM , PDTA113ZT , PDTA113ZU .
History: PDTA114EM
History: PDTA114EM
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467









