PBSS9410PA - описание и поиск аналогов

 

PBSS9410PA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS9410PA
   Маркировка: AG
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT1061

 Аналоги (замена) для PBSS9410PA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS9410PA - технические параметры

 ..1. Size:167K  philips
pbss9410pa.pdfpdf_icon

PBSS9410PA

PBSS9410PA 100 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 11 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS8510PA. 1.2 Features and benefit

 ..2. Size:284K  nxp
pbss9410pa.pdfpdf_icon

PBSS9410PA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 9.1. Size:180K  philips
pbss9110t.pdfpdf_icon

PBSS9410PA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PBSS9110T 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 May 13 Supersedes data of 2004 May 06 NXP Semiconductors Product data sheet 100 V, 1 A PBSS9110T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT23 package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturatio

 9.2. Size:184K  nxp
pbss9110x.pdfpdf_icon

PBSS9410PA

PBSS9110X 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 22 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package. NPN complement PBSS8110X. 1.2 Features SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current ca

Другие транзисторы... PBSS8110Y , PBSS8110Z , PBSS8510PA , PBSS9110D , PBSS9110T , PBSS9110X , PBSS9110Y , PBSS9110Z , TIP120 , PDTA113EE , PDTA113EM , PDTA113ET , PDTA113EU , PDTA113ZE , PDTA113ZM , PDTA113ZT , PDTA113ZU .

History: PDTA113EM

 

 
Back to Top

 


 
.