Справочник транзисторов. PDTA123EM

 

Биполярный транзистор PDTA123EM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: PDTA123EM
   Маркировка: F7
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT883

 Аналоги (замена) для PDTA123EM

 

 

PDTA123EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  nxp
pdta123ee pdta123eef pdta123ek pdta123em pdta123es pdta123et pdta123eu.pdf

PDTA123EM
PDTA123EM

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:56K  motorola
pdta123et 3.pdf

PDTA123EM
PDTA123EM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA123ETPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design3ndbook, 4 columns

 6.2. Size:183K  philips
pdta123e series.pdf

PDTA123EM
PDTA123EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTA123E seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kProduct data sheet 2004 Aug 02Supersedes data of 2004 Apr 07NXP Semiconductors Product data sheetPNP resistor-equipped transistors; PDTA123E seriesR1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.3. Size:56K  philips
pdta123et 3.pdf

PDTA123EM
PDTA123EM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA123ETPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design3ndbook, 4 columns

 6.4. Size:139K  nxp
pdta123eef pdta123ek pdta123es.pdf

PDTA123EM
PDTA123EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTA123E seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kProduct data sheet 2004 Aug 02Supersedes data of 2004 Apr 07NXP Semiconductors Product data sheetPNP resistor-equipped transistors; PDTA123E seriesR1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top