PMBT5550 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMBT5550  📄📄 

Маркировка: 1F_p1F_t1F_W1F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PMBT5550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMBT5550 даташит

 ..1. Size:49K  philips
 pmbt5550 3.pdf pdf_icon

PMBT5550

 ..2. Size:112K  philips
 pmbt5550.pdf pdf_icon

PMBT5550

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PMBT5550 NPN high-voltage transistor Product data sheet 2004 Jan 21 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistor PMBT5550 FEATURES PINNING Low current (max. 300 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 140 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telep

 ..3. Size:310K  nxp
 pmbt5550.pdf pdf_icon

PMBT5550

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 7.1. Size:111K  philips
 pmbt5551.pdf pdf_icon

PMBT5550

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PMBT5551 NPN high-voltage transistor Product data sheet 2004 Jan 21 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistor PMBT5551 FEATURES PINNING Low current (max. 300 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 160 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Gene

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PMBT2222, PMBT2222A, PMBT2369, PMBT2907, PMBT2907A, PMBT3906, PMBT4401, PMBT4403, 2SD313, PMBT5551, PMBT6428, PMBT6429, PMBTA45, PMMT491A, PMMT591A, PMSS3904, PMSS3906