PUMB10 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PUMB10 📄📄
Маркировка: B*0
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT363
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PUMB10
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PUMB10 даташит
pemb10 pumb10.pdf
PEMB10; PUMB10 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Rev. 3 3 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP NPN/NPN Package complement complement configuration NXP JEITA PEM
pemb11 pumb11.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMB11; PUMB11 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 10 k Product data sheet 2003 Oct 03 Supersedes data of 2001 Sep 13 NXP Semiconductors Product data sheet PNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB11; PUMB11 R1 = 10 k , R2 = 10 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. U
pemb1 pumb1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMB1; PUMB1 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = 22 k Product data sheet 2003 Oct 15 Supersedes data of 2001 Sep 13 NXP Semiconductors Product data sheet PNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB1; PUMB1 R1 = 22 k , R2 = 22 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
pumb11 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage MBD128 PUMB11 PNP resistor-equipped double transistor Product specification 2000 Aug 08 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped double transistor PUMB11 FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) No mutual interference between the transistors 6 5 4 handbook,
Другие транзисторы: PMSTA55, PMSTA56, PMSTA92, PRF947, PRF949, PRF957, PSSI2021SAY, PUMB1, MPSA42, PUMB11, PUMB13, PUMB14, PUMB15, PUMB16, PUMB17, PUMB18, PUMB19
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet











