RN1971CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1971CT  📄📄 

Маркировка: JF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: CST6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1971CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1971CT даташит

 ..1. Size:139K  toshiba
 rn1970ct rn1971ct.pdf pdf_icon

RN1971CT

RN1970CT, RN1971CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1970CT,RN1971CT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.15 0.03 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans

 8.1. Size:116K  toshiba
 rn1970fs rn1971fs.pdf pdf_icon

RN1971CT

RN1970FS,RN1971FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1970FS,RN1971FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 1.0 0.05 package 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Incorporating a bias resistor into a tr

 8.2. Size:122K  toshiba
 rn1970fe-rn1971fe.pdf pdf_icon

RN1971CT

RN1970FE,RN1971FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1970FE,RN1971FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Unit mm Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

 8.3. Size:114K  toshiba
 rn1970-rn1971.pdf pdf_icon

RN1971CT

RN1970,RN1971 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1970,RN1971 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2970 R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1969CT, RN1969FE, RN1969FS, RN1969, RN1970CT, RN1970FE, RN1970FS, RN1970, A1941, RN1971FE, RN1971FS, RN1971, RN1972CT, RN1972FS, RN1973CT, RN1973FS, RN1973HFE