RN2108CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2108CT  📄📄 

Маркировка: U7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT883 CST3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2108CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2108CT даташит

 8.1. Size:177K  toshiba
 rn2107 rn2108 rn2109.pdf pdf_icon

RN2108CT

RN2107 RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107,RN2108,RN2109 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107 RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resister Values T

 8.2. Size:162K  toshiba
 rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdf pdf_icon

RN2108CT

RN2107FS RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip

 8.3. Size:194K  toshiba
 rn2107mfv rn2108mfv rn2109mfv.pdf pdf_icon

RN2108CT

RN2107MFV RN2109MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107MFV,RN2108MFV,RN2109MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Ultra-small package, suited to very high density mounting 1.2 0.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so 0.8 0.05 enabling the ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2106MFV, RN2106, RN2107ACT, RN2107CT, RN2107FS, RN2107MFV, RN2107, RN2108ACT, 2SD669A, RN2108FS, RN2108MFV, RN2108, RN2109ACT, RN2109CT, RN2109FS, RN2109F, RN2109MFV